利用物質在光的照射下電導性能改變的內光電效應器件材料很多，例如，Si，Ge等本征半導體單晶體、多晶體;CdS，CdSe，PbO，InAs等化合物多晶體。這些材料均可制作光敏電阻(光導管)，其特點是在光線作用下，電阻值變小。

　　光敏電阻有很多優點：靈敏度高、體積小、質量輕、光譜響應范圍寬、機械強度高、耐沖擊和振動，以及壽命長。但是，它是純電阻元件，使用時需要有外部電源。另外，當有電流通過它時，會產生熱。

　　光敏電阻的結構及原理

　　光敏電阻又稱光導管，它是利用內光電效應原理而制成的。光敏電阻幾乎都是用半導體材料制成。光敏電阻在受到光的照射時，如果光子能量hv大于本征半導體材料的禁帶寬度，則價帶中的電子吸收一個光子后就足以躍遷到導帶，并產生一個自由電子和一個自由空穴，從而使其導電性能增加，電阻值下降。光照停止，自由電子與空穴逐漸復合，電阻又恢復原值。

　　如果把光敏電阻連接到電路中，用光的照射就可以改變電路中電流的大小。

　　光敏電阻的結構很簡單， 它是涂于玻璃底板上的一薄層半導體物質，半導體的兩端裝有金屬電極。金屬電極與半導體層保持著可靠的電接觸，再將涂有半導體物質的玻璃板壓入塑料盒內。金屬電極與引出線端相連接，光敏電阻就通過引出線端接入電路。為了防止周圍介質的影響，在半導體光敏層上覆蓋了一層漆膜。漆膜的成分選擇應該使它在光敏層最敏感的波長范圍內透射率最大。

　　并非一切純半導體都顯示出光電特性。對于不具備這一條件的物質可以加入雜質使其產生光電效應特性。用來產生這種效應的物質是由金屬的硫化物、硒化物、碲化物等組成。如硫化鎘、硫化鉛、硫化鉈、硫化鉍、硒化鎘、硒化鉛、碲化鉛等。

　　光敏電阻的使用取決于它的一系列特性，如暗電流、亮電流、光電流、光敏電阻的伏安特性、光照特性、光譜特性、頻率特性、溫度特性等，以及光敏電阻的靈敏度、時間常數和最佳工作電壓等。

　　光敏電阻由于具有很高的靈敏度、很好的光譜特性、很長的使用壽命、高度的穩定性能、很小的體積、以及簡單的制造工藝，被廣泛應用于自動化技術中。

　　光敏電阻的種類

　　1.硫化鎘光敏電阻

　　硫化鎘光敏電阻是在可見光區使用最廣泛的一種，它具有很高的靈敏度。

　　2.硒化鎘光敏電阻

　　硒化鎘光敏電阻具有比硫化鎘更寬的光譜響應范圍，其光譜響應曲線如下圖所示。硒化鎘光敏電阻有比硫化鎘光敏電阻更快的響應速度。通常比硫化鎘快10倍左右。硒化鎘光敏電阻的主要缺點：其靈敏度隨工作溫度變化較大，低照度下靈敏度低。

　　3.幾種紅外光敏電阻

　　如硫化鉛(PbS)、硒化鉛(PbSe)、碲化鉛(PbTe)、鍺光敏電阻和銻化銦等都是常在1〜10pm范圍內使用的紅外光電器件